别看盒子小,却能让你合法“偷电”,用上免费的电
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高通公司宣布推出Snapdragon 835,后者是Snapdragon 821,时钟频率为2.35 GHz。 除此之外,该公司还宣布了其即将推出的Quick Charge 4技术,该技术将使用户能够在5分钟内为其设备充电5小时。
该公司专注于改善电池寿命和充电技术,因为现在购买手机时,一大批购买者希望获得更好的电池和快速充电选项。
在5分钟内为您的手机充电5小时
这家总部位于美国的跨国公司还推出了Quick Charge 4技术以及新款处理器,该处理器将在5分钟内为您的设备提供5小时的电池续航时间。
新的充电技术将比快速充电3快20%,效率提高30%。这并不意味着您的设备也会快速升温,因为新技术将在5°C的较低温度下工作。
快速充电4还可以帮助您的设备在15分钟或更短的时间内为50%的电池充电。
与OnePlus的Dash充电技术相比,这显然是一个较低的百分比,该技术已经上市几个月了。
以下是Quick Charge 4对其前辈的一些功能。
- USB Type-C和USB供电:为了向大众提供快速充电设施,Qualcomm对Quick Charge 4适配器进行了标准化,以便它可以支持多种设备。
- 电池节电器:通过测量电压电流和温度,实现延长电池寿命并保护电池,系统,电缆和连接器。
- 最佳电压智能协商(INOV):这是一种算法,可帮助系统确定最佳功率传输,同时最大限度地提高效率。 这有助于防止手机在充电时因电涌而过热。
- 双充电:该技术可通过高效散热实现快速充电。
Snapdragon将成为835芯片组的佼佼者
该公司已与三星合作开发其下一代旗舰SoC。 Snapdragon 835将采用三星的10纳米FinFET节点,功耗降低40%,因此与前代产品相比,整体性能提升了27%。
与先前使用的14nm节点相比,10nm FinFET节点由于其更小的尺寸,还将允许30%的面积效率。
较小的尺寸不会妨碍性能,而是为芯片组制造商腾出更多空间来增加额外功能或者只是让设备变得更加纤薄。
Qualcomm的Snapdragon 835和Quick Charge 4将于2017年第二季度末上市。