每个存储单元存储三位数据的能力比传统闪存存储器的能力有所提高，该存储器每个存储单元可存储大约一位或两位数据。两家公司表示，这项新技术将有助于将更多存储空间应用到更小的空间中。

这些公司正在向客户发送样品，并预计在年底前内存将进入量产。存储器将采用25纳米工艺制造。

该器件比公司的每单元2位NAND闪存（也称为多级单元（MLC）NAND）小约20％，该闪存使用25nm工艺，具有相同的总存储容量，这些公司表示：“随着我们增加每个单元的位数，我们能够降低成本并提高容量，”Kevin Kilbuck说。在美光的NAND战略营销中，在美光博客网站的视频中

然而，密度的增加带来了一些折衷。“性能和耐用性可以用你编程NAND的次数来衡量。 Kilbuck表示，随着英特尔和美光在2月份宣布采用25纳米工艺制造的MLC NAND闪存的样品，这一消息将继续下去。当时，这些公司表示，记忆将在第二季度进入量产。英特尔目前提供采用34纳米工艺制造的基于闪存的X25系列固态驱动器。