英特尔和美光的闪存合资企业已经开始使用34纳米技术制造芯片。该公司周一表示，英特尔与存储器制造商美光科技公司（Micron Technology）联合开始大规模生产采用微小34纳米技术的NAND闪存芯片。

Intel-Micron合资企业IM Flash Technologies预计，在犹他州Lehi的工厂中，50％的芯片将在今年年底前使用34nm技术制造。

纳米测量描述了可以在单个芯片上制造的最小晶体管和其他部件的尺寸。根据原子类型的不同，大约有三到六个纳米级的原子，而且每米有十亿纳米。

台湾积体电路公司（TSMC）和英特尔等芯片制造商目前大量生产使用技术的芯片小到40纳米到45纳米。一般来说，芯片上的晶体管越多，它们越接近，芯片执行任务的速度就越快。除了性能，公司正在努力使芯片更小，更便宜，因为人们想要更小，更便宜的设备。 IM Flash公司正在制造32G字节的NAND芯片，其尺寸为34纳米技术，预计该芯片将用于小型固态驱动器（SSD）或闪存卡，目标用于数码相机，数码摄像机和个人音乐播放器。

32G字节芯片是多级单元（MLC）芯片，这意味着它们可以处理比单级单元（SLC）多种NAND闪存更多的重写。

三星电子是目前最大的NAND闪存芯片制造商，目前正在将其芯片工厂升级为采用42纳米技术，并计划明年开始30纳米生产。该公司展示了采用30纳米制造技术制造的多级单元64G字节NAND闪存芯片。一年。