在英特尔San Developer Forum上发表演讲本周，Francisco数字企业集团高级副总裁兼总经理Pat Gelsinger承诺，用户将会看到Dunnington的巨大性能提升。
与个人计算机中使用的四核芯片不同，该芯片几乎没有设计用于挖掘多核处理器的强大功能，常用的服务器应用程序应充分利用六核Dunnington芯片的强大功能。“在这里，虚拟化，Web服务和云计算等产品发挥作用，所有这些用途都没有保持两个，四个，六个或更多内核繁忙的问题，“研究微处理器市场的分析公司Mercury Research的总裁Dean McCarron说，”这是我们可能会看到的地区Dunnington ma “他表示，”用于制造Dunnington的45纳米生产工艺使英特尔现有芯片的性能得到了很大提高，这些芯片都是采用该公司65纳米工艺制造的。“
”更好的工艺可以实现更高的晶体管数量，更大的缓存和更多的内核。 “最终，内核将更多地影响性能，但更大的缓存也会有所帮助，”McCarron说，“Dunnington的缓存比上一代缓存更多，新芯片的每个处理器内核都有3M字节的2级缓存，以及一个共享的16M字节的三级缓存，相比之下，至强7300芯片的每个内核具有1M字节至2M字节的二级缓存，并且没有三级缓存。
较大的二级缓存和添加三级高速缓存 - 已经是Advanced Micro Device的四核服务器芯片的一项功能 - 可以将更多数据存储在处理器内核附近，加快对此信息的访问并提高整体性能。
“从四级到四级六核将会看到接近50％的提高 - 线性扩展 - 由于I / O争用而有一点放缓，“McCarron说，
Dunnington的I / O瓶颈源于使用旧式总线技术。与AMD的芯片不同，英特尔的服务器芯片使用外部存储器控制器和o lder总线技术，它限制了可以通过的数据量。尽管3级高速缓存和1,066MHz总线速度有助于最大限度地减少这种影响，但是直到明年Nehalem服务器芯片面向多处理器系统发布之前，这一瓶颈依然存在并且不会得到充分解决。
Nehalem，也是使用45纳米级工艺技术，集成了片上存储器控制器和新型总线技术，可以进一步提升性能。