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研究人员致力于存储器以取代DRAM,NAND

未来将会取代DRAM和NAND!Intel正在以极高的产量生产非易失性MRAM

未来将会取代DRAM和NAND!Intel正在以极高的产量生产非易失性MRAM
Anonim

台湾研究团队已经转向RRAM(电阻式RAM),作为最新的可能存储芯片的圣杯,它可以替代DRAM和NAND闪存。

DRAM已经成为计算机使用数十年的主要存储器类型,并且因其高速处理数据的能力。 NAND闪存虽然较新,但由于其存储在iPod,iPhone,数码相机和其他产品中的大量歌曲,图片和其他数据,其市场增长迅速

台湾公共资助的工业技术研究院(ITRI) )相信RRAM显示出足够的承诺,可以在未来几年为嵌入式芯片市场做好准备。“

我们仍处于开发的初期阶段,”纳米电子技术研究总监蔡明珍说。 “目前我们无法在可靠性方面与DRAM竞争,”他补充道,“大多数内存芯片研究计划都将重点放在DRAM或NAND闪存的贬低上,因为它们控制着如此巨大的市场。根据市场研究公司iSuppli的数据,去年单靠DRAM市场价值接近240亿美元。大多数试图击败这两款存储芯片的尝试往往失败。例如,相变存储器(PRAM)就是一种ITRI计划在今年减少其研究工作的存储芯片。

尽管早有承诺,ITRI发现PRAM难以制造。该研究小组计划在今年年底之前完成一些与PRAM相关的研究项目,但随后将它们从焦点中排除。

研究人员在开发新技术的过程中经常遇到障碍,但DRAM或NAND替代品的价格甚至更高。 DRAM由IBM几十年前发明,多年来由其他公司和研究团体完善。这些芯片支配个人电脑,因为它们能够处理数据的速度很高,但它们有一个缺点。一旦电源关闭,DRAM芯片会忘记所有数据。

NAND闪存的不同之处在于,无论设备处于打开还是关闭状态,它都可以保存大量数据,但运行速度太慢无法替换DRAM。

击败这些芯片的技术优点是一个问题。第二个障碍将是制造一个比DRAM或NAND更好的新芯片,因此替换芯片确实是有意义的。考虑到数十亿美元的公司已经花费在建造DRAM和NAND工厂上,这并不容易, PC组件制造商为确保从微处理器到主板的组件制造商所采取的措施能够与DRAM一起工作

“入门门槛非常高”,Tsai说,

这就是为什么他希望RRAM能够进入电子设备在嵌入式芯片市场中

内存芯片在嵌入式市场竞争更加容易,芯片制造商将多个芯片的功能集成到一个称为SoC(片上系统)的芯片中,因为没有理由让公司仅取决于DRAM

RRAM也适用于手机中使用的智能卡和SIM卡

芯片像DRAM一样快速,但与DRAM不同,它们在关闭设备电源时保留数据

但是工研院与RRAM有很长的路要走。

该小组已经有了p推出1Kbit原型芯片,并成功在8英寸晶圆上制造芯片,这是发展道路上的两个关键步骤。制造具有足够存储容量的芯片仍然需要几年的时间才能吸引嵌入式芯片市场。

工研院目前正在与少数初创公司就芯片工作进行谈判,但他们不是台湾公司,这是一个问题。 ITRI是由台湾政府赞助的,它的任务是要求首先为当地公司在开发任何新技术时建立合作伙伴关系。

Tsai表示,该集团将继续研究芯片,组。这些芯片将在几年内无法投放市场。