特殊時期，中方呼籲美方防止戰略誤判—橫生枝節
世界上最大的两家NAND闪存芯片制造商致力于开发具有每秒400兆位接口的DDR（双倍数据速率）NAND闪存，比先前技术规格的133Mbps速度更快，比传统NAND闪存芯片的40Mbps接口速度快10倍
称为触发模式DDR的技术也是ONFI（开放NAND闪存接口）由英特尔，美光科技a支持nd SanDisk。这两种技术都是针对SSD等高性能产品的，NAND闪存支持者有希望替代硬盘驱动器（HDD）。根据ONFI网站的信息，ONFI可提供166Mbps和200Mbps的速度。
“这两种实施都针对类似的性能水平，”行业研究员Forward Insights首席执行官Gregory Wong说。 “ONFI的成功率较高，因为它早期建立，但切换模式DDR与标准异步接口更兼容。”他表示，这两种技术的采用率将受到供应的影响，并且由于三星和东芝提供近70％的NAND闪存市场，他们可以利用他们的领导地位来增加对触发模式DDR的采用。
Objective Analysis分析师Jim Handy说，NAND芯片的更快速接口非常重要，因为它们越来越多的用于数据处理，而不仅仅是音乐，照片，视频和USB驱动器。三星公司表示，两家公司正在解决触发模式DDR的兼容性问题，他补充说。
在新闻稿中，两家公司表示，他们预计智能手机，平板电脑和固态硬盘的持续采用将推动对更广泛的高性能NAND芯片，并且速度的不断升级将导致基于NAND闪存的新产品的诞生。上个月，三星推出了首批使用触发模式DDR NAND闪存内存，512GB设备，最高读取速度为每秒250兆字节（MBps）和220MBps连续写入速度。