该公司周一表示，其新型MRAM（磁阻随机存取存储器）可用于智能手机作为移动处理器的高速缓冲存储器，取代目前广泛使用的SRAM。“最近，移动应用处理器中使用的SRAM数量不断增加，这增加了“东芝公司发言人Atsushi Ido表示，”[
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“这项研究的重点在于降低功耗，同时提高速度，而不是增加内存容量。”
降低手机设备的功耗是设备制造商关注的热点和电池寿命是消费者的主要关注点。用于内存高速缓存的MRAM大约有几兆字节的存储量。这项技术也由东芝和其他公司开发，其存储容量更高，因为它可以替代闪存和DRAM存储器。MRAM使用磁性存储器来跟踪位数，与目前大多数使用电的RAM技术收费。这种新技术是非易失性的，即使没有电源也能保存其数据，但通常需要更多的电流以高速运行。东芝表示，其研究采用自旋扭矩技术，其中电子自旋被用于设置其磁位方向，降低数据写入所需的电荷。这些新芯片使用的元件尺寸小于30纳米。
Ido表示，MRAM存储缓存将不会进入市场。
另外，东芝还与Hynix合作开发MRAM，新一代内存产品。东芝表示将推出结合了多种存储器技术的产品，如MRAM和NAND闪存。上个月，Everspin宣布它已经交付了全球首款ST（自旋转矩）MRAM芯片作为DRAM的替代品。该公司表示，它将新型芯片用作固态驱动器中的缓冲存储器和快速访问存储器，尤其是在数据中心。
东芝将在将举行的IEEE国际电子设备会议（IEDM）本周在旧金山举办，重点关注新型半导体技术。 IEEE或电气和电子工程师协会是一个促进电气工程主题研究的组织。