东芝开发出了其更高容量版本的FeRAM（Ferroelectric RAM）存储器，可以以其以前详细原型的速度的八倍速度发送和接收数据。
FeRAM是一种相对较新的存储器，结合了DRAM芯片的速度，DRAM芯片最常用作计算机的主存储器以及在电源关闭时保留数据的能力，如手机，相机和其他小工具中使用的闪存芯片。它已经开发多年，但尚未见到大规模生产。
本周在旧金山举行的国际固态电路会议（ISSCC）上将详细介绍的这款新芯片的容量为16MB，并具有读取/写入速度为每秒1.6GB。东芝上次在2006年详细介绍了其FeRAM的进展，当时它拥有一块4MB芯片，可以处理200MBps的数据传输。
本周ISSCC将详细介绍该芯片是该公司系列原型中的最新产品，该系列正在努力实现技术的商业化。该公司没有具体计划开始批量生产芯片，并称价格仍然是最大的障碍之一。
目标应用包括半导体片上高速缓存。虽然它支持快速读写，并且即使在关闭芯片的总容量时也能保持其内容，16MB，比传统闪存芯片低很多。